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晶圓代工大廠聯電今(23)日宣布再投資1.1億美元在新加坡打造12吋晶圓廠Fab12i,成為用於先進特殊技術研發製造的基地「Center of Excellence」,並與當地微電子研究院等機構密切合作。

這座晶圓廠主要用來開發背照式影像感測器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體,以及用於3D IC封裝中的直通矽晶穿孔(TSV)連結等,應用於車用、行動、智慧型手機與平板電腦等日益龐大的產品市場,而聯電也預計今年內於Fab 12i廠增聘逾80名工程師。

聯電營運長陳文洋表示,擁有這座專為先進特殊技術研發與製造基地的12吋晶圓廠,將可促進許多新技術的及時問世,同時可讓聯電充分掌握跨入新市場的契機。

「我們之所以選擇新加坡,在於新加坡可提供豐富的工程人力資源以及完善的半導體產業架構,此外,新加坡健全的半導體產業環境,也可促成聯電未來與新加坡本地企業合作的機會。」

Fab 12i廠是聯電唯一位於台灣以外的12吋晶圓廠,現有月產能為近45,000片,佔聯電全公司12吋晶圓總產出的45%,而Fab 12i廠累積至今的投入金額為近美金36億元

不同於台積電與格羅方德陸續宣布加速更快的16及14奈米鰭式電晶體 (FinFET)量產時程,聯電今年仍以擴大40奈米營收比重為主要發展重點,不過28奈米發展也已規畫出相關時程。

從聯電第一季財報來看,營收來到277.8億元,毛利率16.2%,稅後純益65.9億元,每股獲利0.52元,展望後市,聯電認為半導體產業經過幾個月庫存調整後,需求已逐步回穩,第二季產能利用率預估可上升至八成。

完整內容在http://phone.3cfyi.com


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